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IGBT器件
基本失效模式及机理
2020-11-09 08:25
【文章】
目前,国内外对于
IGBT器件
失效的研究众多,主要从两方面入手,一方面是考虑器件自身的工作循环,另一方面是考虑器件的实际工况环境,研究表明IGBT失效是由内部工作循环及外部工况同时作用导致的,其失效机理复杂,失效模式主要分为封装类失效及芯片类失效,如图2-2所示。